Rapid Thermal Annealing Furnace
Rapid Thermal Annealing Furnace
Rapid Thermal Annealing Furnace
FOB
MOQ:
1
Expédition:
陆运, 海运
Quantité (pièces):
1
Détails du produit
Détails essentiels
Quantité (pièces):1
MOQ:1
Délai de livraison:3~6 months
Expédition:陆运, 海运
Introduction du produit
Overview:
1. Process application: RTP RTO RTA RTN  RTN
2. Wafer size: 8 inches and below
3. Applicable substrate material: Silicon, silicon carbide, gallium nitride, gallium arsenide, sapphire, quartz glass
4. Temperature range: 200~1300°C