Rapid Thermal Annealing Furnace
Rapid Thermal Annealing Furnace
Rapid Thermal Annealing Furnace
FOB
MOQ:
1
Envío:
陆运, 海运
Cantidad (piezas):
1
Detalles del producto
Detalles esenciales
Cantidad (piezas):1
MOQ:1
Tiempo de entrega:3~6 months
Envío:陆运, 海运
Introducción del producto
Overview:
1. Process application: RTP RTO RTA RTN  RTN
2. Wafer size: 8 inches and below
3. Applicable substrate material: Silicon, silicon carbide, gallium nitride, gallium arsenide, sapphire, quartz glass
4. Temperature range: 200~1300°C